SI2371EDS-T1-GE3 MOSFET -30V 45mOhm -10V -4.8A Canal P G-III Vishay composant électronique
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SI2371EDS-T1-GE3 MOSFET -30V 45mOhm -10V -4.8A Canal P G-III Vishay composant électronique

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Agent Exportateur Fabricant Distributeur Société commerciale Grossiste
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Informations produit
Numéro de modèleSI2371EDS-T1-GE3Nom de marqueVishay
OrigineThaïlandePetites commandesApprouvé

Caractéristiques techniques clés/ Caractéristiques spéciales:

SI2371EDS-T1-GE3
MOSFET -30V 45mOhm-10V -4.8A P-Ch G-III Vishay composant électronique
Catégorie Transistors - FET, MOSFET-Single
Fabricant Vishay
FET Type P-canal
Vgs (Max) ± 12V
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Caractéristique FET-
Statut de la pièce Actif
Type de montage Montage en surface
Package/Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Skype: en direct:. hd
Courrier: frank@fordreamhk.com

Informations d’expédition

Port FOBShekou ShenzhenDélai3–5 jours
Poids par unité1.5 GrammesDimensions par unité2.4 x 2.4 x 0.03 Centimètres
Code HTS8518.90.00 90Unités par carton d'exportation1.0
Dimensions du carton d'exportation2 x 3 x 4 CentimètresPoids du carton d'exportation0.5 Grammes

Principaux marchés vers lesquels les produits sont exportés

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Australasie
Amérique centrale/du Sud
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